存儲(chǔ)器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達(dá)送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過(guò)驗(yàn)證。
臺(tái)積電不僅向英偉達(dá)提供先進(jìn) AI GPU 的代工，同時(shí)還負(fù)責(zé) AI GPU 同 HBM 內(nèi)存間的 CoWoS 先進(jìn)封裝，因此也是英偉達(dá)驗(yàn)證審核過(guò)程的重要參與者。
_20240517152904_137.jpg "消息稱(chēng)三星HBM3E芯片未通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證")
一位熟悉三星電子與英偉達(dá)間供應(yīng)關(guān)系的消息人士向韓媒表示，三星電子 8Hi HBM3E 的驗(yàn)證流程就是卡在臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)。
這位消息人士宣稱(chēng)，三星產(chǎn)品未能通過(guò)測(cè)試的主要原因是臺(tái)積電在檢測(cè)中“采用了基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)定的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)”。
三星2024年第一季財(cái)報(bào)表示，八層垂直堆疊HBM3E4月量產(chǎn)，第二季會(huì)量產(chǎn)12層垂直堆疊，比原計(jì)劃下半年提前。三星說(shuō)是為了應(yīng)付生成式AI應(yīng)用日漸成長(zhǎng)的需求，故加速新HBM生產(chǎn)進(jìn)度。
有業(yè)內(nèi)人士透露，如果將檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)做相應(yīng)的調(diào)整，三星的HBM3E通過(guò)英偉達(dá)的驗(yàn)證環(huán)節(jié)將不成問(wèn)題。
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日期：2024年5月18日
